[DB하이텍] 경력사원 공개채용 (10월)

핵심 업무

• Power Discrete 소자/공정 개발: Si 기반 Power Discrete 소자 개발 및 공정 설계
• Analog & Power IC 소자/공정 개발: Si 기반 Logic/Analog & Power IC 소자 및 공정 개발
• SiC/GaN 응용기술 및 평가: Wide band gap power device 응용기술 개발 및 평가
• DRC/LVS/LPE 개발 및 고객 기술 지원: DRC/LVS/LPE 개발 및 검증, 고객 기술 지원
• PDK 개발: PDK(PCell & Symbol) Library 개발 및 검증
• 전략기획: 신사업 발굴, 사업환경 분석 및 중장기 경영계획 수립

필수 자격

• Power Discrete 소자/공정 개발: 학사 5년 이상 또는 박사(졸업예정자 포함)
• Analog & Power IC 소자/공정 개발: 학사 5년 이상 또는 박사(졸업예정자 포함)
• SiC/GaN 응용기술 및 평가: 학사 6년 이상, 석사 4년 이상 또는 박사(졸업예정자 포함)
• DRC/LVS/LPE 개발 및 고객 기술 지원: 학사 5년 이상, 석사 3년 이상 또는 박사(졸업예정자 포함)
• PDK 개발: 학사 6년 이상, 석사 4년 이상 또는 박사(졸업예정자 포함)

우대사항

• TCAD Power 소자 설계 경험
• SOI Wafer 기반 Power IC 공정 경험
• WBG device 응용회로 제작/평가 경험
• Cadence/Synopsys Ruledeck 개발 경험
• 영어 회화 가능자

지원 조건

• Power Discrete 소자/공정 개발 · 경력 5년 이상
• Analog & Power IC 소자/공정 개발 · 경력 5년 이상
• SiC/GaN 응용기술 및 평가 · 경력 4년 이상
• DRC/LVS/LPE 개발 및 고객 기술 지원 · 경력 3년 이상
• PDK 개발 · 경력 4년 이상
• 전략기획 · 경력 4년 이상

근무 조건

근무지: 경기 부천, 충북 음성

전형 절차

서류 전형 → 면접 전형 → 처우협의 → 입사